время задержки для биполярного транзистора

См. также в других словарях:

• время задержки для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды. Обозначение tзд td [ГОСТ 20003 …   Справочник технического переводчика

• Время задержки для биполярного транзистора — 36. Время задержки для биполярного транзистора D. Verzögerungszeit E. Delay time F. Retard à la croissance tзд Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• время задержки — 3.24. время задержки: Интервал времени между подачей энергии на клапан и появлением расхода газа. Источник: ГОСТ Р 51842 2001: Клапаны автоматические отсечные для газовых г …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• время нарастания — 3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений. Примечание Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• время включения — 2.5.43 время включения : Интервал времени между началом замыкания и моментом, когда в главной цепи появится ток. МЭК 60050(441 17 40). Источник: ГОСТ Р 50030.1 2000: Аппаратура распределения и управления низковольтная. Часть 1. Общие требования и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Память с изменением фазового состояния — Для термина «PCM» см. другие значения. Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Эн …   Википедия

• Средняя — периодическое увлажнение пола, при котором поверхность покрытия пола влажная или мокрая; покрытие пола пропитывается жидкостями. Источник: МДС 31 12.2007: Полы жилых, общественных и производственных зданий с применением м …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера